Des chercheurs du MIT ont mis au point des transistors nanométriques 3D, appelés VNFETs, qui mesurent seulement six nanomètres de diamètre. Cette avancée représente un progrès significatif dans le secteur des semiconducteurs. La technologie a le potentiel d'améliorer l'efficacité énergétique de jusqu'à cinquante pour cent par rapport aux transistors conventionnels, tout en diminuant la dissipation thermique et en permettant une densité d'intégration remarquable. Bien qu'il reste des défis à relever pour une production à grande échelle, cette innovation pourrait révolutionner l'électronique moderne, en particulier dans les domaines de l'intelligence artificielle et des dispositifs électroniques, ouvrant ainsi la voie à des smartphones plus puissants et à des centres de données plus performants.
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